Kenttävaikutustransistorit eroavat bipolaarisista transistoreista siinä mielessä, että ne toimivat vain toisen elektronin tai reiän kanssa. Rakenteen ja periaatteen mukaan se voidaan jakaa:
. Liitoskenttävaikutusputki
. MOS -tyyppinen kenttävaikutusputki
1. Risteys FET (risteys FET)
1) Periaate
Kuten kuviosta näkyy, N-kanavan liitoskenttävaikutransistorissa on rakenne, jossa N-tyypin puolijohde on puristettu molemmilta puolilta P-tyypin puolijohteen portilla. Virran säätöön käytetään tyhjennysaluetta, joka syntyy, kun PN -risteykseen kohdistetaan käänteinen jännite.
Kun tasavirtajännitettä syötetään N-tyypin kidealueen molempiin päihin, elektronit virtaavat lähteestä viemäriin. Kanavan leveys, jonka läpi elektronit kulkevat, määräytyy molemmilta puolilta hajautetun P-tyypin alueen ja tähän alueeseen kohdistetun negatiivisen jännitteen mukaan.
Kun negatiivinen hilajännite vahvistuu, PN -liitoksen tyhjennysalue ulottuu kanavaan ja kanavan leveys pienenee. Siksi lähde-tyhjennysvirtaa voidaan ohjata hilaelektrodin jännitteellä.
2) Käytä
Vaikka portin jännite olisi nolla, virtaus on virtaa, joten sitä käytetään vakiovirtalähteisiin tai äänivahvistimiin alhaisen kohinan vuoksi.
2. MOS -tyyppinen kenttävaikutusputki
1) Periaate
Jopa metallin (M) ja puolijohteen (S) rakenteessa (MOS -rakenne), joka kerrostaa oksidikalvon (O), jos (M): n ja puolijohteen (S) väliin syötetään jännite, tyhjennyskerros voi muodostua syntynyt. Lisäksi kun käytetään korkeampaa jännitettä, elektronit tai reiät voidaan kerätä hapenkukintakalvon alle käänteiskerroksen muodostamiseksi. MOSFETia käytetään kytkimenä.
Jos toimintaperiaatekaaviossa hilajännite on nolla, PN -liitos katkaisee virran, joten virta ei virtaa lähteen ja viemärin välillä. Jos porttiin syötetään positiivinen jännite, P-tyyppisen puolijohteen reiät poistetaan oksidikalvosta-P-tyypin puolijohteen pinta portin alla muodostaen tyhjennyskerroksen. Lisäksi, jos hilajännitettä lisätään jälleen, elektronit vetävät pintaan muodostaen ohuemman N-tyypin inversiokerroksen niin, että lähdetappi (N-tyyppi) ja tyhjennys (N-tyyppi) on kytketty, mikä mahdollistaa virran virrata .
2) Käytä
Yksinkertaisen rakenteensa, nopean nopeutensa, yksinkertaisen porttikäytönsä, vahvan tuhoavan tehonsa ja muiden ominaisuuksiensa sekä mikrovalmistustekniikan ansiosta se voi parantaa suorituskykyä suoraan, joten sitä käytetään laajalti korkeataajuuslaitteissa LSI-peruslaitteista Power-laitteisiin (virranhallintalaitteet) ja muut kentät.
3. Yhteinen kenttä apuputki
1) MOS -kenttävaikutusputki
Toisin sanoen metallioksidi-puolijohdekenttävaikutusputki, englanninkielinen lyhenne on MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor)
Field-Effect-Transistor), joka on eristetty porttityyppi. Sen pääominaisuus on se, että metalliportin ja kanavan välissä on piidioksidieristyskerros, joten sen sisääntulovastus on erittäin korkea (useimmat korkeat jopa 1015Ω). Se on myös jaettu N-kanavaiseen putkeen ja P-kanavaiseen putkeen, symboli näkyy kuvassa 1. Yleensä alusta (substraatti) ja lähde S on kytketty toisiinsa. Eri johtamistavan mukaan MOSFET on jaettu parannustyyppiin,
Tyhjennystyyppi. Ns. Parannettu tyyppi viittaa: kun VGS = 0, putki on pois päältä, ja oikean VGS: n lisäämisen jälkeen suurin osa kantoaineista houkutellaan porttiin, mikä "parantaa" kantoaaltoja tällä alueella ja muodostaa johtava kanava.
Tyhjennystyyppi tarkoittaa, että kun VGS = 0, kanava muodostuu, ja kun oikea VGS lisätään, suurin osa kantoaineista voi virrata kanavasta, jolloin "tyhjenee" kantoaallot ja sammutetaan putki.
Ottaen esimerkkinä N-kanavan, se valmistetaan P-tyyppiselle piialustalle, jossa on kaksi lähdediffuusioaluetta N+ ja viemäridiffuusioalueet N+, joilla on korkea dopingpitoisuus, ja sitten lähde S ja tyhjennys D johdetaan ulos. Lähde -elektrodi ja alusta on kytketty sisäisesti, ja molemmat pitävät aina saman sähköisen
Bitti. Kuvion 1 (a) symbolin etusuunta on ulkopuolelta sähkölle, mikä tarkoittaa P-tyypin materiaalista (alustasta) N-tyypin kanavaan. Kun viemäri on kytketty virtalähteen positiiviseen napaan, lähde on kytketty virtalähteen negatiiviseen napaan ja VGS = 0, kanavavirta (eli tyhjennysvirta)
Stream) ID = 0. Kun portin positiivinen jännite houkuttelee VGS: n asteittaista kasvua, negatiivisesti varautuneita vähemmistökantoaineita indusoidaan kahden diffuusioalueen välille muodostaen N-tyypin kanavan viemäristä lähteeseen. Kun VGS on suurempi kuin putki Kun käynnistysjännite VTN (yleensä noin +2V), N-kanavainen putki alkaa johtaa muodostaen tyhjennysvirran ID: n.
MOS -kenttävaikutusputki on enemmän "kitisevä". Tämä johtuu siitä, että sen sisääntulovastus on erittäin korkea ja kapasitanssi portin ja lähteen välillä on hyvin pieni, ja se on erittäin altis ulkoisen sähkömagneettisen kentän tai sähköstaattisen induktion lataukselle, ja pieni määrä varausta voi muodostua kapasitanssi elektrodien välillä.
Erittäin korkea jännite (U = Q/C) putki vaurioituu. Siksi nastat kierretään yhteen tehtaalla tai asennetaan metallikalvoon siten, että G -napa ja S -napa ovat samalla potentiaalilla staattisen varauksen kertymisen estämiseksi. Kun putki ei ole käytössä, käytä kaikkia Johdot tulee myös oikosulkea. Ole erityisen varovainen mitatessasi ja suorita vastaavat antistaattiset toimenpiteet.
2) MOS -kenttävaikutusputken tunnistusmenetelmä
(1). Valmistelut Ennen mittaamista oikosulje ihmiskeho maahan ennen kuin kosket MOSFETin nastoihin. On parasta liittää lanka ranteeseen, jotta se voidaan yhdistää maahan, jotta ihmiskeho ja maa säilyttävät potentiaalin. Erota nastat uudelleen ja irrota sitten johdot.
(2). Määrityselektrodi
Aseta yleismittari R × 100 -vaihteeseen ja määritä ensin ruudukko. Jos tapin ja muiden nastojen vastus on ääretön, se osoittaa, että tämä tappi on ruudukko G. Vaihda testijohtimet mittaamaan uudelleen, vastusarvon SD: n välillä tulisi olla useita satoja ohmia-useita tuhansia
Jos vastusarvo on pienempi, musta mittausjohto on kytketty D -napaan ja punainen mittausjohto S -napaan. Japanissa valmistetuissa 3SK -sarjan tuotteissa S -napa on liitetty kuoreen, joten S -napa on helppo määrittää.
(3). Tarkista vahvistuskyky (transkonduktanssi)
Ripusta G -napa ilmaan, liitä musta mittausjohto D -napaan ja punainen mittausjohto S -napaan ja kosketa sitten G -napaa sormellasi, neulan taipuman tulee olla suurempi. Kaksoisporttisessa MOS-kenttävaikutransistorissa on kaksi porttia G1 ja G2. Voit erottaa sen koskettamalla sitä käsilläsi
G1- ja G2 -sauvat, G2 -napa on se, jossa kellon käden suurempi taipuma vasemmalle. Tällä hetkellä joissakin MOSFET-putkissa on lisätty suojadiodit GS-napojen väliin, eikä jokaista nastaa tarvitse oikosulkea.
3) MOS -kenttävaikutransistorien käyttöä koskevat varotoimet.
MOS -kenttävaikutransistorit on luokiteltava, kun niitä käytetään, eikä niitä voi vaihtaa keskenään. MOS -kenttäefektitransistorit hajoavat helposti staattisen sähkön takia suuren tuloimpedanssinsa vuoksi (mukaan lukien MOS -integroidut piirit). Kiinnitä huomiota seuraaviin sääntöihin, kun käytät niitä:
MOS -laitteet on yleensä pakattu mustiin johtaviin vaahtomuovipusseihin, kun ne lähtevät tehtaalta. Älä pakkaa niitä muovipussiin itse. Voit myös käyttää ohuita kuparilankoja liittämään nastat toisiinsa tai kääriä ne tinakalvoon
Poistettu MOS -laite ei voi liukua muovilevyn päällä, ja käytettävää laitetta pidetään metallilevyllä.
Juotosraudan on oltava hyvin maadoitettu.
Ennen hitsausta piirilevyn voimajohto tulee oikosulkea maadoitusjohdon kanssa ja sitten MOS-laite on erotettava hitsauksen päätyttyä.
MOS -laitteen kunkin tapin hitsausjärjestys on tyhjennys, lähde ja portti. Kun purat koneen, järjestys on päinvastainen.
Ennen kuin asennat piirilevyn, kosketa koneen liittimiä maadoitetulla johdinkiristimellä ja kytke sitten piirilevy.
MOS -kenttävaikutransistorin portti on edullisesti kytketty suojadiodiin, jos se on sallittua. Kun tarkistat piiriä, tarkista, onko alkuperäinen suojadiodi vaurioitunut.
4) VMOS -kenttävaikutusputki
VMOS-kenttävaikutusputki (VMOSFET) on lyhenne sanoista VMOS-putki tai tehokenttävaikutusputki, ja sen koko nimi on V-urainen MOS-kenttävaikutusputki. Se on äskettäin kehitetty erittäin tehokas virtakytkin MOSFETin jälkeen
Kappaletta. Se ei ainoastaan peri MOS -kenttävaikutusputken suurta tuloimpedanssia (≥108 W), pientä käyttövirtaa (noin 0.1 μA), vaan sillä on myös korkea kestävyysjännite (jopa 1200 V) ja suuri työvirta
(1.5A ～ 100A), suuri lähtöteho (1 ～ 250W), hyvä johtavuuden lineaarisuus, nopea kytkentänopeus ja muut erinomaiset ominaisuudet. Juuri siksi, että se yhdistää elektroniputkien ja tehotransistorien edut yhdeksi, joten jännite
Vahvistimia (jännitteenvahvistus jopa useita tuhansia kertoja), tehovahvistimia, kytkentävirtalähteitä ja inverttereitä käytetään laajalti.
Kuten me kaikki tiedämme, perinteisen MOS -kenttävaikutransistorin portti, lähde ja tyhjennys ovat sirulla, jossa portti, lähde ja viemäri ovat suunnilleen samalla vaakasuoralla tasolla ja sen työvirta kulkee pohjimmiltaan vaakasuunnassa. VMOS -putki on erilainen, vasemmasta alakulmasta voit
Kaksi suurta rakenteellista ominaisuutta voidaan nähdä: ensinnäkin metalliportissa on V-urarakenne; toiseksi sillä on pystysuora johtavuus. Koska tyhjennys vedetään sirun takaa, tunnus ei virtaa vaakasuunnassa sirua pitkin, vaan seostetaan voimakkaasti N+: lla
Alueelta (lähde S) alkaen se virtaa kevyesti seostetulle N-drift-alueelle P-kanavan kautta ja saavuttaa lopulta viemärin D pystysuoraan alaspäin. Virran suunta näkyy kuvassa olevalla nuolella, koska virtauksen poikkileikkausala kasvaa, joten suuri virta voi kulkea. Koska portissa
Pylvään ja sirun välissä on piidioksidieristyskerros, joten se on edelleen eristetty portti MOS -kenttävaikutransistori.
VMOS -kenttävaikutransistorien tärkeimpiä kotimaisia valmistajia ovat 877 Factory, Tianjin Semiconductor Device Fourth Factory, Hangzhou Electron Tube Factory jne. Tyypillisiä tuotteita ovat VN401, VN672, VMPT2 jne.
5) VMOS -kenttävaikutusputken tunnistusmenetelmä
(1). Määritä ruudukko G. Aseta yleismittari R × 1k -asentoon mittaamaan kolmen tapin välinen vastus. Jos havaitaan, että tapin ja sen kahden tapin vastus ovat äärettömiä ja se on edelleen ääretön mittajohtojen vaihdon jälkeen, osoitetaan, että tämä tappi on G -napa, koska se on eristetty kahdesta muusta tapista.
(2). Lähteen S ja tyhjennyksen D määrittäminen Kuten kuvasta 1 voidaan nähdä, lähteen ja viemärin välillä on PN -liitos. Siksi PN -risteyksen eteen- ja taaksepäin suuntautuvan vastuksen eron mukaan S -napa ja D -napa voidaan tunnistaa. Käytä vaihtomittarin kynämenetelmää vastuksen mittaamiseen kahdesti, ja se, jolla on pienempi vastusarvo (yleensä useita tuhansia - kymmenentuhatta ohmia), on eteenpäinvastus. Tällä hetkellä musta mittausjohto on S -napainen ja punainen on kytketty D -napaan.
(3). Mittaa tyhjennyslähteen tilatilan vastus RDS (päällä) oikosulkuun GS-napaan. Valitse yleismittarin R × 1 -vaihde. Liitä musta mittausjohto S -napaan ja punainen mittausjohto D -napaan. Vastus on muutamasta ohmista yli kymmeneen ohmiin.
Eri testiolosuhteista johtuen mitattu RDS (on) -arvo on korkeampi kuin käsikirjassa annettu tyypillinen arvo. Esimerkiksi IRFPC50 VMOS -putki mitataan 500-tyypin yleismittarilla R × 1, RDS
(Päällä) = 3.2 W, yli 0.58 W (tyypillinen arvo).
(4). Tarkista transkonduktanssi. Aseta yleismittari R × 1k (tai R × 100) -asentoon. Liitä punainen mittausjohto S -napaan ja musta mittausjohto D -napaan. Kosketa ruuvia ruuvitaltalla. Neulan tulee taipua merkittävästi. Mitä suurempi taipuma, sitä suurempi putken taipuma. Mitä suurempi transkonduktanssi.
6) Asiat, jotka vaativat huomiota:
VMOS-putket on myös jaettu N-kanavaisiin ja P-kanavaisiin putkiin, mutta suurin osa tuotteista on N-kanavaisia putkia. P-kanavaisten putkien osalta mittausjohtojen asento on vaihdettava mittauksen aikana.
GS: n välissä on muutama suojadiodi VMOS -putki, tämän tunnistusmenetelmän kohdat 1 ja 2 eivät ole enää käytettävissä.
Tällä hetkellä markkinoilla on myös VMOS -putkivoimamoduuli, jota käytetään erityisesti AC -moottorin nopeuden säätimiin ja inverttereihin. Esimerkiksi amerikkalaisen IR-yrityksen tuottaman IRFT001-moduulin sisällä on kolme N-kanavaa ja P-kanavaa, jotka muodostavat kolmivaiheisen siltarakenteen.
Markkinoilla olevat VNF-sarjan (N-kanavaiset) tuotteet ovat Supertexin Yhdysvalloissa tuottamia erittäin korkeataajuisia tehokenttävaikutustransistoreita. Sen suurin toimintataajuus on fp = 120MHz, IDSM = 1A, PDM = 30W, yleinen lähde, pieni signaali, matalataajuinen transkonduktanssi gm = 2000μS. Se soveltuu nopeille kytkentäpiireille sekä yleisradio- ja viestintälaitteille.
VMOS -putkea käytettäessä on lisättävä sopiva jäähdytyselementti. Esimerkkinä VNF306, maksimiteho voi olla 30 W, kun 140 × 140 × 4 (mm) jäähdytin on asennettu.
7) Kenttävaikutusputken ja transistorin vertailu
Kenttävaikutusputki on jännitteen säätöelementti ja transistori on virranohjauselementti. Kun sallitaan vain vähemmän virtaa signaalilähteestä, on käytettävä FET: tä; ja kun signaalijännite on alhainen ja sallii enemmän virtaa signaalilähteestä, on käytettävä transistoria.
Kenttäefektitransistori käyttää enemmistön kantajia sähkön johtamiseen, joten sitä kutsutaan yksinapaiseksi laitteeksi, kun taas transistorissa on sekä enemmistö- että vähemmistökantoa sähkön johtamiseen. Sitä kutsutaan bipolaariseksi laitteeksi.
Joidenkin kenttävaikutransistorien lähdettä ja tyhjennystä voidaan käyttää keskenään, ja hilajännite voi olla myös positiivinen tai negatiivinen, mikä on joustavampaa kuin transistorit.
Kenttävaikutusputki voi toimia hyvin pienellä virralla ja erittäin pienellä jännitteellä, ja sen valmistusprosessi voi helposti integroida monia kenttävaikutusputkia piisiruun, joten kenttävaikutusputkea on käytetty suurissa integroiduissa piireissä. Laaja valikoima sovelluksia.
|
|
|
|
Kuinka pitkälle (pitkä) lähettimen kansi?
Kantamaa riippuu monista tekijöistä. Todellinen etäisyys, joka perustuu antennin asennuksen korkeus, antennin vahvistus, käyttäen ympäristön, kuten rakennus ja muita esteitä, vastaanottimen herkkyyttä, antenni vastaanottimen. Asentaminen antenni enemmän korkean ja käyttämällä maaseudulla, etäisyyttä tulee huomattavasti pidemmälle.
Esimerkki 5W FM-lähetin käyttää kaupungin ja kotikaupunki:
Olen USA asiakaskäyttöön 5W fm lähetin GP antenni kotikaupungissaan ja hän testata sen autoa, se kattaa 10km (6.21mile).
Testaan 5W fm lähetin GP antenni kotikaupungissani, se kattaa noin 2km (1.24mile).
Testaan 5W fm lähetin GP antennin Guangzhou, se kattaa noin vain 300meter (984ft).
Alla on likimäärin välillä eri vallan FM-lähetin. (Valikoima on halkaisija)
0.1W ~ 5W FM-lähetin: 100M ~ 1KM
5W ~ 15W FM Ttransmitter: 1KM ~ 3KM
15W ~ 80W FM-lähetin: 3KM ~ 10KM
80W ~ 500W FM-lähetin: 10KM ~ 30KM
500W ~ 1000W FM-lähetin: 30KM ~ 50KM
1KW ~ 2KW FM-lähetin: 50KM ~ 100KM
2KW ~ 5KW FM-lähetin: 100KM ~ 150KM
5KW ~ 10KW FM-lähetin: 150KM ~ 200KM
Miten yhteyttä lähettimen?
Soita minulle + 8618078869184 TAI
Lähetä minulle [sähköposti suojattu]
1.How pitkälle haluat kattaa halkaisijaltaan?
2.How pitkä teistä torni?
3.Where olet kotoisin?
Ja me annamme sinulle enemmän ammatillisia neuvoja.
Tietoa Meistä
FMUSER.ORG on RF-langattomaan siirtoon / studio-video-äänilaitteisiin / streaming- ja tietojenkäsittelyyn keskittyvä järjestelmäintegraatioyritys. Tarjoamme kaikkea neuvonnasta ja konsultoinnista telineiden integroinnin ja asennuksen, käyttöönoton ja koulutuksen kautta.
Tarjoamme FM-lähetintä, analogista TV-lähetintä, digitaalista TV-lähetintä, VHF-UHF-lähetintä, antenneja, koaksiaalikaapeliliittimiä, STL-laitteita, ilmankäsittelyä, lähetystuotteita studioon, RF-signaalin seurantaa, RDS-enkoodereita, ääniprosessoreita ja etäsivuston ohjausyksiköitä IPTV-tuotteet, Video / Audio Encoder / Decoder, jotka on suunniteltu vastaamaan sekä suurten kansainvälisten lähetysverkkojen että pienten yksityisten asemien tarpeisiin.
Ratkaisumme sisältää FM-radioaseman / analogisen TV-aseman / digitaalisen TV-aseman / audio-video-studiolaitteet / studiolähettimen linkin / lähettimen telemetriajärjestelmän / hotellin TV-järjestelmän / IPTV-suoralähetyksen / suoratoiston suorana lähetyksenä / videoneuvottelun / CATV-lähetysjärjestelmän.
Käytämme kehittyneitä teknologiatuotteita kaikkiin järjestelmiin, koska tiedämme, että korkea luotettavuus ja korkea suorituskyky ovat niin tärkeitä järjestelmän ja ratkaisun kannalta. Samalla meidän on myös varmistettava, että tuotteemme ovat erittäin kohtuulliset.
Meillä on asiakkaita julkisissa ja kaupallisissa yleisradioyhtiöissä, teleoperaattoreissa ja sääntelyviranomaisissa, ja tarjoamme myös ratkaisuja ja tuotteita monille satoja pienemmille, paikallisille ja yhteisön yleisradioyhtiöille.
FMUSER.ORG on vienyt yli 15 vuotta ja sillä on asiakkaita ympäri maailmaa. Meillä on 13 vuoden kokemus tällä alalla, ja meillä on ammattitaitoinen tiimi ratkaisemaan asiakkaan kaikenlaisia ongelmia. Olemme sitoutuneet toimittamaan ammattitaitoisten tuotteiden ja palveluiden erittäin kohtuullisen hinnoittelun. Sähköpostiosoite: [sähköposti suojattu]
Tehtaamme
Meillä on modernisointi tehtaasta. Tervetuloa käymään tehtaalla, kun tulla Kiinaan.
Tällä hetkellä on jo olemassa 1095 asiakkaita ympäri maailmaa vierailivat Guangzhou Tianhe toimistoon. Jos tulet Kiinaan, olet tervetullut käymään.
Fair
Tämä on meidän osallistuminen 2012 Global Sources Hongkong Electronics Fair . Asiakkaita ympäri maailmaa Lopuksi on mahdollisuus saada yhdessä.
Missä on Fmuser?
Voit etsiä näistä numeroista " 23.127460034623816,113.33224654197693 "Google-kartasta löydät fmuser-toimistomme.
FMUSER Guangzhou toimisto on Tianhen joka on keskellä Canton . Erittäin lähellä että Canton Fair , guangzhou rautatieasema, Xiaobei tie- ja dashatou , Tarvitsee vain 10 minuuttia jos kestää TAKSI . Tervetuloa ystäviä ympäri maailmaa käymään ja neuvotella.
Yhteydenotto: Sky Blue
Fax: + 8618078869184
WhatsApp: + 8618078869184
Wechat: + 8618078869184
Sähköposti: [sähköposti suojattu]
QQ: 727926717
Skype: sky198710021
Osoite: No.305 Room Huilan Building No.273 Huanpu Road Guangzhou Kiina Postinumero: 510620
|
|
|
|
Englanti: Hyväksymme kaikki maksut, kuten PayPal, Luottokortti, Western Union, Alipay, Money Bookers, T / T, LC, DP, DA, OA, Payoneer. Jos sinulla on kysyttävää, ota minuun yhteyttä [sähköposti suojattu] tai WhatsApp + 8618078869184
-
PayPal.  www.paypal.com
Suosittelemme käyttämään Paypal ostaa meidän kohteita, The Paypal on turvallinen tapa ostaa internetissä.
Jokainen meidän Tuoteluettelosi sivu pohja päälle ole PayPal logo maksaa.
Luottokortti.Jos sinulla ei ole paypal, mutta teillä on luottokortti, voit myös napsauttamalla Keltainen PayPal-painiketta maksaa luottokortilla.
-------------------------------------------------- -------------------
Mutta jos et ole luottokorttia, eikä ole PayPal-tili tai vaikeasti sai paypal accout, voidaan käyttää seuraavia:
Western Union.  www.westernunion.com
Maksa Western Union minulle:
Etunimi / etunimi: Yingfeng
Sukunimi / sukunimi / sukunimi: Zhang
Koko nimi: Yingfeng Zhang
Maa: Kiina
Kaupunki: Guangzhou
|
-------------------------------------------------- -------------------
T / T. Maksa T / T (tilisiirto / lennätin siirto / pankkisiirto)
Ensimmäiset pankkitiedot (YRITYSTILI):
SWIFT BIC: BKCHHKHHXXX
Pankin nimi: BANK OF CHINA (HONG KONG) LIMITED, HONG KONG
Pankkiosoite: BANK OF CHINA TOWER, 1 PUUTARHA, CENTRAL, HONG KONG
Pankkikoodi: 012
Tilin nimi: FMUSER INTERNATIONAL GROUP LIMITED
Tilinumero NO. : 012-676-2-007855-0
-------------------------------------------------- -------------------
Toiset pankkitiedot (YRITYSTILI):
Edunsaaja: Fmuser International Group Inc.
Tilinumero: 44050158090900000337
Edunsaajan pankki: China Construction Bank Guangdong Branch
SWIFT-koodi: PCBCCNBJGDX
Osoite: NO.553 Tianhe Road, Guangzhou, Guangdong, Tianhen alue, Kiina
** Huomaa: Kun siirrät rahaa pankkitilillemme, ÄLÄ kirjoita mitään huomautusalueelle, muuten emme voi vastaanottaa maksua hallituksen kansainvälisen kaupan liiketoimintaa koskevan politiikan vuoksi.
|
|
|
|
* Se lähetetään 1-2 työpäivää kun maksu selvä.
* Me lähettää sen paypal osoite. Jos haluat muuttaa osoitetta, lähetä oikea osoite ja puhelinnumero sähköpostiini [sähköposti suojattu]
* Jos puolat on alle 2kg, me lähetetään postitse lentoposti, kestää noin 15-25days käteen.
Jos paketti on enemmän kuin 2kg, lähetämme kautta EMS, DHL, UPS, Fedex nopea express toimitus kestää noin 7 ~ 15days käteen.
Jos paketti enemmän kuin 100kg, lähetämme kautta DHL tai lentorahtina. Se kestää noin 3 ~ 7days käteen.
Kaikki paketit ovat muotoa Kiina Guangzhou.
* Paketti lähetetään "lahjana" ja ilmoitetaan mahdollisimman vähän, ostajan ei tarvitse maksaa "VEROSTA".
* Kun laiva, lähetämme sinulle sähköpostin ja antaa sinulle seurantanumeron.
|
|
|
Takuuta varten.
Ota yhteyttä meihin --- >> palauta tuote meille --- >> Vastaanota ja lähetä uusi korvaava tuote.
Nimi: Liu Xiaoxia
Osoite: 305Fang HuiLanGe HuangPuDaDaoXi 273Hao TianHeQu Guangzhoussa Kiinassa.
ZIP: 510620
Puhelin: + 8618078869184
Palauta tähän osoitteeseen ja kirjoita paypal osoite, nimi, ongelma huomautus: |
|
Meidän muiden tuotteiden:
